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HG112F7-Q09
0.8～2.5GHz表貼封裝低噪放，增益36dB，噪聲系數0.5dB，1dB壓縮點輸出功率為18.5dBm
0.8～2.5GHz表貼封裝芯片，增益為 36d... -
HG133NA
多功能芯片，集成串并轉換、數控移相、
數控衰減和放大器等功能
HG133NA 多功能芯片集成串并轉換、數控移相... -
HG166Y3
10～15GHz 六位數控移相器芯片，插入損耗為 9dB，移相精度均方根為2.5°
HG166Y3 是一款 10～15GHz 六位數... -
HG142F2
0.5-2GHz雙向放大器芯片，增益27dB，P-1為16.5dBm
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HG155NF
8～12GHz X波段多功能芯片 移相精度2.5° ，衰減精度0.2dB
移相RMS:2.5° 衰減RMS:0.2dB... -
HG511F
0.02～0.6GHz表貼寬帶放大器 增益23dB，噪聲系數0.7dB，P-1為19dBm
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發展歷程
了解詳情2017年，毫米波通信功率放大器芯片研制成功； GaN功率放大器成功小批量量產
2016年，微波高可靠性芯片銷售量達50萬只
2013年，S波段高集成度變頻器多功能芯片量產
2012年，GaAs幅相控制多功能芯片小批量量產
2011年，國內首款集成驅動功能的數控移相器芯片量產; 國內首款GeSi幅相控制多功能芯片樣品成功問世
